研磨液的添加量是根据水质和产生切削屑来决定的,水质硬切削量多,则研磨液的添加量应多些。由于离心式研磨机在相同的时间内切屑量多,所以研磨液的添加量应多些。研磨液少量滴入滚筒内被水搅匀后,在光整时会粘附在零件与磨料的表面,对金属表面氧化膜的化学作用,使其软化,易于从表面研磨除去,以提高研磨效率。
多晶金刚石研磨液是利用多晶金刚石良好的韧性制成的研磨液,在研磨抛光过程中能够保持高磨削力的同时不易产生划伤,为后续精密抛光加工提供了良好的条件。广泛用于光学晶体、陶瓷、超硬合金等各种硬质材料的研磨和抛光。
半导体行业 CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。